Для хранения электронной информации предназначены накопители данных. В зависимости от конструктивных особенностей они подразделяются на несколько видов, наиболее распространенными среди которых являются флеш-накопители. Они получили широкое распространение благодаря малым физическим габаритам и внушительному объему, позволяющему хранить большое количество файлов. Однако при покупке флешки каждый пользователь сталкивался с ситуацией, когда полезный объем накопителя не соответствовал заявленному производителем. Почему возникает такая ситуация?
Определение флеш-памяти
Флеш-память — это одна из разновидностей современных накопителей информации, в основе которой лежит технология электрического программирования, которая позволяет получить полностью законченное, с технологической точки зрения, решение для записи и хранения электронной информации.
Обычные пользователи применяют термин «флеш-память» для классификации большой категории устройств хранения информации, которые изготавливаются по этой технологии. Основными достоинствами этой категории накопителей данных являются:
— Маленькие габариты;
— Низкая стоимость;
— Отличная устойчивость к механическим повреждениям;
— Большой объем;
— Высокая скорость считывания данных;
— Маленькое потребление электроэнергии.
Благодаря всем вышеперечисленным преимуществам, этот тип памяти нашел широкое применение при производстве различных электронных гаджетов, а также внешних накопителях данных. Однако существуют и значительные недостатки, которыми обладает флеш-память. Основными среди них является недолговечность эксплуатации и повышенная чувствительность к электростатическим разрядам.
А что касается объема памяти, которой могут обладать современные флеш-накопители? Однозначного ответа на этот вопрос нет, поскольку всего несколько лет назад 128 гигабайт казались пределом, а уже в наши дни никого не удивляют флеш-накопители, способные вместить один терабайт информации. И это далеко не предел.
Немного истории
Первыми накопителями данных этой категории считаются жесткие диски, в которых процесс записи осуществлялся при помощи разрядов электричества, а стирание — ультрафиолетом. В качестве запоминающих элементов в таких носителях использовались светодиодные транзисторы с плавающим затвором. Информация этих постоянных запоминающих устройств представлялась в виде электрического разряда, который закреплялся на диэлектрике. Основной проблемой этих устройств являлась очень большая площадь разводки, которую удалось уменьшить только в 1984 году. Именно тогда и появились первые флеш-накопители современного образца.
Принцип работы
Запись и хранение информации в электронном виде на флеш-накопителях происходит посредством регистрации и изменения электрического заряда светодиодных транзисторов. Этот процесс базируется на принципе туннельного эффекта, который происходит между источником электроэнергии и подвижным затвором транзистора. Для повышения эффективности этого процесса используют ускорение электронов. Считывание записанной информации осуществляется при помощи полевых транзисторов. Для реализации работы с большим количеством ячеек информации в конструкции флеш-памяти реализованы специальные элементы. Небольшие физические размеры накопителей этого класса и большой объем памяти достигаются благодаря маленьким размерам всех электронных элементов, входящих в состав этих устройств.
NOR- и NAND-приборы
Эти элементы различаются в зависимости от метода, который заложен в основу реализации большого массива источников хранения электрических зарядов, а также технологией записи и считывания информации. Приборы категории NOR создаются на базе двухмерной полупроводниковой матрицы, в месте пересечения которых используется по одной ячейке. В процессе записи и считывания электронной информации один выход ячейки контактирует с транзистором, а второй — с затвором столбцов. Исток контактирует с подложкой, выступающей связующим звеном для всех элементов флеш-накопителя. Подобная конструкция позволяет подавать питание на один транзистор, в котором хранится необходимая часть информации.
В отличие от структуры NOR, приборы класса NAND работают по принципу трехмерного массива. Накопители с этими приборами создаются на том же типе матрицы с тем лишь исключением, что в месте пересечения транзисторов базируется не одна, а столбец последовательных ячеек. Таким образом, в одном пересечении может находиться большое количество затворных цепей, что позволяет существенно увеличить количество элементов, входящих в основу накопителей информации. Однако это приводит к существенному усложнению алгоритма доступа к электронным элементам, которые хранят электронный заряд, а также процессу записи и считывания информации. Тем не менее несмотря на более сложную конструкцию, флеш-накопители, разработанные на этих приборах, обладают существенно большим объемом.
SLC- и MLC-приборы
Некоторые устройства, которые используются при производстве флеш-накопителей данных, способны одновременно хранить несколько бит информации вместо одного. Это достигается благодаря увеличению количества зарядов, которые одновременно может хранить плавающий затвор транзисторов. Такие приборы получили название многобитовые или многоуровневые, а в технической документации они обозначаются как MLC. Стоит отметить, что несмотря на преимущества в работе, они обладают более низкой стоимостью, однако, есть и негативная сторона, например, меньший ресурс циклов перезаписи, что значительно снижает их срок службы.
Аудиопамять
По мере развития технологического прогресса и изобретения MLC-приборов, технические специалисты пришли к идее преобразования аналогового сигнала в электрический, с последующей его записью в ячейку флеш-памяти. Эта идея была реализована на практике, а наиболее ярким примером являются различные детские игрушки, способные воспроизводить звуки.
Технологические ограничения
В процессе эксплуатации флеш-памяти происходит регулярная запись и считывание информации. При этом затраты электроэнергии на оба этих процесса очень сильно отличаются. Для того чтобы записать электронные данные в ячейку необходимо больше электричества нежели, для их считывания.
Ресурс записи и хранения информации
В процессе помещения электрического заряда в ячейку транзистора происходят необратимые изменения структуры этих элементов. В свою очередь, каждый транзистор обладает ограниченным количеством циклов записи. Максимальное количество циклов зависит от используемых технологий при производстве, а также от используемых деталей. Это объясняется тем, что невозможно контролировать электрический заряд, помещенный в плавающий затвор, поэтому по мере эксплуатации накопителя происходит нарушение структуры транзистора и потеря электрического заряда.
Эта же тенденция наблюдается и в максимальном времени, на протяжении которого может храниться заряд. В среднем, электронная информация может храниться на флеш-накопителях от 10 до 20 лет, однако, эти сроки могут отличаться в зависимости от используемых при производстве технологий и элементов.